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IPD50N04S410ATMA1 INFINEON/英飞凌 表面贴装型 N 通道 40 V 50A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313

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IPD50N04S410ATMA1  INFINEON/英飞凌  表面贴装型 N 通道 40 V 50A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313

类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1430 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
41W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD50N04

IPD50N04S410ATMA1.png